PN结

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。

如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（   ）。

PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。

PN结正偏时扩散电流大于漂移电流。

PN结正偏时扩散电流      漂移电流。

PN结正偏时扩散电流大于漂移电流。